SJ 50033.75-1995 半导体分立器件.3DG135型硅超高频小功率晶体管详细规范
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ID： |
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文件大小(MB)： |
0.39 |
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页数： |
10 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/75-1995,半导体分立器件,3DG135型硅超高频小功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG135 Silicon ultra,high frequency low-power tansistor,1995-05-25 发布 !995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3DG135型硅超高频小功率晶体管详细规范SJ 50033/75-1995,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG135 Silicon ultra,high frequency low-power tansistor,1范围,h!主题内容,本规范规定了 3DG135型硅超高频小功率晶体管的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3条的规定,提供质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3 1详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应符合GJB 33和本规范的规定,3,2.1 引出端材料和表面涂层,引出端材料为可伐合金,引线表面镀金,3 2.2器件结构,中华人民共和国电子工业部!995-05-2S发布 1S95-12-01实施,—I 一,SJ 50033/75^1995,采用硅平面外延双极型结构,3.2.3外形尺寸,外形尺寸见图U,引出端极性:Eー发射极;Bー极基;Cー集电极,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,注;1)当77>25七时,按4.0mWハ;线性降额s,X参,数,号',\,ゼ,(mW),丁ピ 25c,丫附,(v) (V) (V),左,(mA),*,(t),丁由,(V),3DG135 700 30 20 4 120 200 -65-200,つ LJU,SJ 50033/75-1995,3.3.2主要电特性（7\ = 25匕）,、参,\数,数、,值、,んFE1,Vce"IOV-,几=30mA,んFT2,Vce=10V,f c 二 〇. 1 mA,ん阻,Vce=WV,Ic= 100mA,(V),1￠ ~ SOnuA.,IB 二 2mA,/r,(MHz),Vce = 10V,Ie = 30mA,Gp,CdB),p0,(mW),?c,(%) C.,(pF),Vcb=WV,/=lMHz,Vce=IOV,fc = 40mA,/=500MHz,最小值30 10 10 — 2000 10 100 25% —,最大值200 一0.3 一一— — 2,4,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33及本规范的规定,型号标志可不限于一行内,制造厂可省略器件上的,下列标志:,a,产品保证等级;,b.制造厂厂名、代号或商标;,c.检验批识别代码;,4质■保证规定,4 .!抽样和检验,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应符合GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定进行,下面测试应按本规范表1进行,超过本规范表1极限值的器件应予剔除,选,(见 GJB 33*2),测试或试验,7中间电参数和入由,8功率老化见 4.3.1,9最后测试本规范表1的A2分组,"面!为初始值的100%,或70城,取较大者,助国为初始值的土20%,4.3.1 功率老化条件,功率老化条件如下:,”=25 ± 3じ,= 700mW, = 10Vo,4.4 ,质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,3,SJ 50033/75-1995,A组检验应按GJB 33和本规范表!的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33及本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33及本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表中规定的方法和下列规定进行,4,5.1 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128中3,3,2」条的规定,表1 A组检驗,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,扱限值,单位,方法条 件最小最大,A1分组,外观及机融检验GJB 128,207],5,A2分组,集电极一基极2.921 发射极开路,5,^（BR）GPO 30 一V,击穿电压Zc = 0r 1mA,集电极ー发射极292」基板开路V（BH}CEO 20 — V,击穿电压rc = 0.5mA,集电极一基极2.1 发射极开路『CBO1 —— 80 nA,截止电流Vm=15V,发射极一基极2.2 集电极开路『EBO — 10 gA,截止电流Veb = 3V,正向电流传输比2.8 Vce=lOV, [c = 30mA,脉冲法（见4.5」）,Mei 30 200 一,正向电流传输比2.S Zv-0,lmA,脉冲法（见4……
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